casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / IMX8T108
codice articolo del costruttore | IMX8T108 |
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Numero di parte futuro | FT-IMX8T108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMX8T108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 140MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMX8T108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMX8T108-FT |
HN4C06J-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
FFB2907A
ON Semiconductor
FFB5551
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XP0555300L
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AGLN250V2-ZCSG81I
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APA450-PQ208I
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5SGXMA5H2F35C1N
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XC5VLX110-3FFG1760C
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