casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2803ADWG4
codice articolo del costruttore | ULN2803ADWG4 |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2803ADWG4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2803ADWG4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 8 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 18-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2803ADWG4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2803ADWG4-FT |
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMX2T108
Rohm Semiconductor
IMX8T108
Rohm Semiconductor
HN1C01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
BC807DS,115
Nexperia USA Inc.
BC817DPN,125
Nexperia USA Inc.
BC817DSF
Nexperia USA Inc.
BC847DS,115
Nexperia USA Inc.
LFE2-6E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-1FGG676C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC6VCX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF256C8G
Intel
5SGXEABN3F45I4N
Intel
LCMXO2-4000HE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation