casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2004AFWG,N,E
codice articolo del costruttore | ULN2004AFWG,N,E |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2004AFWG,N,E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2004AFWG,N,E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2004AFWG,N,E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2004AFWG,N,E-FT |
IMT3AT108
Rohm Semiconductor
IMX17T108
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IMX17T110
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SMBT 3904U E6327
Infineon Technologies