casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / IMZ4T108
codice articolo del costruttore | IMZ4T108 |
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Numero di parte futuro | FT-IMZ4T108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMZ4T108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz, 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMZ4T108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMZ4T108-FT |
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