casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / IMX4T108
codice articolo del costruttore | IMX4T108 |
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Numero di parte futuro | FT-IMX4T108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMX4T108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 10mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 1.5GHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMX4T108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMX4T108-FT |
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Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
XC5VLX110-2FF676I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FFG676CES
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel