casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2003ANS
codice articolo del costruttore | ULN2003ANS |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2003ANS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2003ANS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003ANS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2003ANS-FT |
MMDT4126-7-F
Diodes Incorporated
MMDT4401-7-F
Diodes Incorporated
MMDT4413-7-F
Diodes Incorporated
BC847PNQ-7R-F
Diodes Incorporated
BC856AS-7
Diodes Incorporated
BC857BS-7-F
Diodes Incorporated
DMMT3904W-7-F
Diodes Incorporated
BC846ASQ-7-F
Diodes Incorporated
BC847PNQ-7-F
Diodes Incorporated
BCM857BS-7-F
Diodes Incorporated
LCMXO2-256HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F45I3N
Intel
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05-2AJC
Microchip Technology
EP3SL110F780I3
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EP20K1000EFC33-2X
Intel