casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BCM857BS-7-F
codice articolo del costruttore | BCM857BS-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BCM857BS-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCM857BS-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCM857BS-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCM857BS-7-F-FT |
ZDT6790TA
Diodes Incorporated
ZDT751TA
Diodes Incorporated
ZDT6753TA
Diodes Incorporated
ZDT1048TA
Diodes Incorporated
ZDT1049TA
Diodes Incorporated
ZDT795ATA
Diodes Incorporated
ZHB6790TA
Diodes Incorporated
ZHB6792TA
Diodes Incorporated
ZDT1053TA
Diodes Incorporated
ZDT6718TA
Diodes Incorporated
LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2S200-5PQG208I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5
Intel
EP20K300EFI672-2N
Intel
5SGXEA7N2F45C3N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation