casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MMDT4126-7-F
codice articolo del costruttore | MMDT4126-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMDT4126-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDT4126-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT4126-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDT4126-7-F-FT |
MMDT3904V-7
Diodes Incorporated
MMDT2907V-7
Diodes Incorporated
MMDT3906VC-7
Diodes Incorporated
MMDT2222V-7
Diodes Incorporated
BCM857BV-7
Diodes Incorporated
BC847BVC-7
Diodes Incorporated
BC847BVN-7
Diodes Incorporated
MMDT3904VC-7
Diodes Incorporated
MMDT3906V-7
Diodes Incorporated
ZDT6790TA
Diodes Incorporated
XC3S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484C
Xilinx Inc.
5SGXMA5K2F40C3N
Intel
5SGSMD4E1H29C2L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A3PE1500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EQC240-1
Intel