casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2003ADRG3
codice articolo del costruttore | ULN2003ADRG3 |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2003ADRG3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2003ADRG3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003ADRG3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2003ADRG3-FT |
NCV1413BDR2G
ON Semiconductor
ULN2001D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2003D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2004D1013TR
STMicroelectronics
MMPQ3906 TR13
Central Semiconductor Corp
ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2002D1013TR
STMicroelectronics
BA12004BF-E2
Rohm Semiconductor
CA3083M96
Renesas Electronics America Inc.
CA3083MZ
Renesas Electronics America Inc.
XC3S250E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
XC7A100T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel