casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BA12004BF-E2
codice articolo del costruttore | BA12004BF-E2 |
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Numero di parte futuro | FT-BA12004BF-E2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA12004BF-E2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potenza - Max | 620mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA12004BF-E2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BA12004BF-E2-FT |
IMX17T110
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SMBT3906UE6327HTSA1
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AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3N
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10M16DCF484C8G
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10M04DCF256C8G
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10M04DCF256A7G
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XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-8BG256I
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LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation