casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS3KHE3/9AT
codice articolo del costruttore | RS3KHE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-RS3KHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS3KHE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3KHE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS3KHE3/9AT-FT |
ES3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel