casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS3JHE3/9AT
codice articolo del costruttore | RS3JHE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-RS3JHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS3JHE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3JHE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS3JHE3/9AT-FT |
ES3A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel