casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UH2D-E3/5BT
codice articolo del costruttore | UH2D-E3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-UH2D-E3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UH2D-E3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UH2D-E3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UH2D-E3/5BT-FT |
MURS140-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS140-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS140HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS140HE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS140HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS140HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS160-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS160HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS160HE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS160HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel