casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS140HE3_A/I
codice articolo del costruttore | MURS140HE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-MURS140HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MURS140HE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS140HE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS140HE3_A/I-FT |
VS-MBRS130L-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS190-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB310-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB310-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB310-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB3L6S-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB3L6S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB410S-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB410S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB7L45-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel