casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS160HE3_A/I
codice articolo del costruttore | MURS160HE3_A/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MURS160HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MURS160HE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS160HE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS160HE3_A/I-FT |
VSSB310-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB3L6S-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB3L6S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB410S-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB410S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB7L45-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
10BQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division
10BQ015TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10BQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
10BQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel