casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UGB10CCTHE3/45
codice articolo del costruttore | UGB10CCTHE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UGB10CCTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB10CCTHE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB10CCTHE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB10CCTHE3/45-FT |
MBRB25H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation