casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB25H35CT-E3/81
codice articolo del costruttore | MBRB25H35CT-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB25H35CT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRB25H35CT-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 640mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB25H35CT-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB25H35CT-E3/81-FT |
HFA16TA60CS
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TA60CSTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TA60CSTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CS
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CSTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CSTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel