casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB25H50CTHE3/81
codice articolo del costruttore | MBRB25H50CTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB25H50CTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB25H50CTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB25H50CTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB25H50CTHE3/81-FT |
HFA30TA60CSTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CSTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100CT/31
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H150CT1E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel