casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UG1006GHC0G
codice articolo del costruttore | UG1006GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-UG1006GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UG1006GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG1006GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG1006GHC0G-FT |
MBR1090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel