casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR15150CTHC0G
codice articolo del costruttore | MBR15150CTHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR15150CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR15150CTHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 7.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR15150CTHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR15150CTHC0G-FT |
UGF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L45C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10H200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20H200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel