casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR1090CT C0G
codice articolo del costruttore | MBR1090CT C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR1090CT C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR1090CT C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1090CT C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR1090CT C0G-FT |
UGF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel