casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UG06CHA0G
codice articolo del costruttore | UG06CHA0G |
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Numero di parte futuro | FT-UG06CHA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UG06CHA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 600mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 600mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | T-18, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG06CHA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG06CHA0G-FT |
JANTXV1N4946
Microsemi Corporation
JANTXV1N5186
Microsemi Corporation
JANTXV1N5415
Microsemi Corporation
JANTXV1N5416US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5417US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5418US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5420US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5550US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5551
Microsemi Corporation
JANTXV1N5551US
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel