casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5186
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5186 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5186 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/424 |
JANTXV1N5186 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5186 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5186-FT |
SDM05A30CP3-7
Diodes Incorporated
SDT40B100ST
Diodes Incorporated
SICRB12650TR
SMC Diode Solutions
SK1510-TP
Micro Commercial Co
SK15H45 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK20H45 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SMD15PL-TP
Micro Commercial Co
SR1502 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54AW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel