casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5415
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5415 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5415 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
JANTXV1N5415 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5415 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5415-FT |
SDT40B100ST
Diodes Incorporated
SICRB12650TR
SMC Diode Solutions
SK1510-TP
Micro Commercial Co
SK15H45 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK20H45 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SMD15PL-TP
Micro Commercial Co
SR1502 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54AW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54CW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel