casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / U2C-E3/5BT
codice articolo del costruttore | U2C-E3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-U2C-E3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
U2C-E3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 27ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
U2C-E3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | U2C-E3/5BT-FT |
ESH2CHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2DHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2DHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRS1100TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel