casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH2DHE3_A/H
codice articolo del costruttore | ESH2DHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-ESH2DHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ESH2DHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2DHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH2DHE3_A/H-FT |
SS2H9-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43LHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43LHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ015HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ030HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ040HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ060-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ060HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel