casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH2DHE3/52T
codice articolo del costruttore | ESH2DHE3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-ESH2DHE3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH2DHE3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2DHE3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH2DHE3/52T-FT |
SS2H9-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43LHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43LHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ015HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ030HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ040HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation