casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / TT8M1TR
codice articolo del costruttore | TT8M1TR |
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Numero di parte futuro | FT-TT8M1TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TT8M1TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 10V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSST |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TT8M1TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TT8M1TR-FT |
CSD88537NDT
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CSD88539ND
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CSD87313DMS
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CSD88584Q5DCT
Texas Instruments
LCMXO2280E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144M
Microsemi Corporation
10M16DAF484I7G
Intel
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2SG
Intel
10AX032E1F29I1SG
Intel
EP20K100BC356-2
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EPF10K100ABC356-2
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