casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / CSD87503Q3ET
codice articolo del costruttore | CSD87503Q3ET |
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Numero di parte futuro | FT-CSD87503Q3ET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD87503Q3ET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 15V |
Potenza - Max | 15.6W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON (3.3x3.3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87503Q3ET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD87503Q3ET-FT |
SSM6L39TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N44FE,LM
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SSM6L36FE,LM
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SSM6L35FE,LM
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SSM6L16FETE85LF
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SSM6N35FE,LM
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EP1C6T144C6
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10M50DAF256C6GES
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5SGSMD8N3F45I4N
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XCKU035-L1SFVA784I
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LCMXO2-4000HC-6FG484I
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EP1K100QC208-1N
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