casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / TSPB5H150S S1G
codice articolo del costruttore | TSPB5H150S S1G |
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Numero di parte futuro | FT-TSPB5H150S S1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSPB5H150S S1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMPC4.0 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSPB5H150S S1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSPB5H150S S1G-FT |
SFAF1602GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1603GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1604GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1605GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel