casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFAF1603GHC0G
codice articolo del costruttore | SFAF1603GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFAF1603GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFAF1603GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFAF1603GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFAF1603GHC0G-FT |
HERAF1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
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A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
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LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
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