casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFAF1605G C0G
codice articolo del costruttore | SFAF1605G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFAF1605G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFAF1605G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFAF1605G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFAF1605G C0G-FT |
HERAF1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF805G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel