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TSM80N1R2CI C0G Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CI C0G

Numero parte MFG
TSM80N1R2CI C0G
quantità disponibile
73860 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.64
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TSM80N1R2CI C0G specificazioni

codice articolo del costruttore TSM80N1R2CI C0G
Numero di parte futuro FT-TSM80N1R2CI C0G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM80N1R2CI C0G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.4nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 685pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM80N1R2CI C0G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TSM80N1R2CI C0G-FT

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