casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFD9110PBF
codice articolo del costruttore | IRFD9110PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFD9110PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD9110PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD9110PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFD9110PBF-FT |
TK4A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A55DA(STA4,Q,M)
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TK4A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A65DA(STA4,Q,M)
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TK5A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A50D(STA4,Q,M)
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TK5A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A55D(STA4,Q,M)
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XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel