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Vishay Siliconix IRFDC20PBF

Numero parte MFG
IRFDC20PBF
quantità disponibile
17710 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.992
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Data di spedizione
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-IRFDC20PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRFDC20PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 320mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFDC20PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFDC20PBF-FT

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