casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFDC20PBF
codice articolo del costruttore | IRFDC20PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFDC20PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFDC20PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 320mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFDC20PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFDC20PBF-FT |
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3A65DA(STA4,QM)
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TK4A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel