casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM70N750CH C5G
codice articolo del costruttore | TSM70N750CH C5G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM70N750CH C5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM70N750CH C5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 (IPAK) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM70N750CH C5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM70N750CH C5G-FT |
TPCA8052-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1400ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH4R606NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN22006NH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN3300ANH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2R703NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN30008NH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN11003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel