casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPH14006NH,L1Q
codice articolo del costruttore | TPH14006NH,L1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TPH14006NH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPH14006NH,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta), 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH14006NH,L1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPH14006NH,L1Q-FT |
TK8A10K3,S5Q
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3565(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3868(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK4016(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A60W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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EP4CE75F29C8
Intel