casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPN30008NH,LQ
codice articolo del costruttore | TPN30008NH,LQ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TPN30008NH,LQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPN30008NH,LQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPN30008NH,LQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPN30008NH,LQ-FT |
TK10A60W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation