casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPN30008NH,LQ
codice articolo del costruttore | TPN30008NH,LQ |
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Numero di parte futuro | FT-TPN30008NH,LQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPN30008NH,LQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPN30008NH,LQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPN30008NH,LQ-FT |
TK10A60W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel