casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM60NB150CF C0G
codice articolo del costruttore | TSM60NB150CF C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM60NB150CF C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM60NB150CF C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220S |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60NB150CF C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM60NB150CF C0G-FT |
IRFD320PBF
Vishay Siliconix
IRFD024
Vishay Siliconix
IRFD123PBF
Vishay Siliconix
IRFD214PBF
Vishay Siliconix
IRFD224PBF
Vishay Siliconix
IRFD420PBF
Vishay Siliconix
IRFD214
Vishay Siliconix
IRFD224
Vishay Siliconix
IRFD9010
Vishay Siliconix
IRFD010
Vishay Siliconix
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel