casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFD214PBF
codice articolo del costruttore | IRFD214PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFD214PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD214PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 450mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 270mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD214PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFD214PBF-FT |
TK5A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A65DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel