casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFD123PBF
codice articolo del costruttore | IRFD123PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFD123PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD123PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD123PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFD123PBF-FT |
TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A65DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation