casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM60N380CZ C0G
codice articolo del costruttore | TSM60N380CZ C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM60N380CZ C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM60N380CZ C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60N380CZ C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM60N380CZ C0G-FT |
IRLD110
Vishay Siliconix
IRLD120
Vishay Siliconix
TSM60NB1R4CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4NB65CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB900CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB600CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM70N1R4CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM70N900CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB380CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N80CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation