casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM600N25ECH C5G
codice articolo del costruttore | TSM600N25ECH C5G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM600N25ECH C5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM600N25ECH C5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 423pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 (IPAK) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM600N25ECH C5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM600N25ECH C5G-FT |
TPCA8045-H(T2L1,VM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8052-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1400ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH4R606NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN22006NH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN3300ANH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2R703NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN30008NH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel