casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM4N80CI C0G
codice articolo del costruttore | TSM4N80CI C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM4N80CI C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM4N80CI C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 955pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM4N80CI C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM4N80CI C0G-FT |
IRLD120PBF
Vishay Siliconix
IRFD110PBF
Vishay Siliconix
IRLD024PBF
Vishay Siliconix
IRFD9120PBF
Vishay Siliconix
IRFD024PBF
Vishay Siliconix
IRFD210PBF
Vishay Siliconix
IRLD110PBF
Vishay Siliconix
IRFD9020PBF
Vishay Siliconix
IRFD9010PBF
Vishay Siliconix
IRFDC20PBF
Vishay Siliconix
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
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Intel