casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLD120PBF
codice articolo del costruttore | IRLD120PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLD120PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLD120PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLD120PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLD120PBF-FT |
TK15A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK15A60U(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A60W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK18A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK19A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20A25D,S5Q(M
Toshiba Semiconductor and Storage
TK2A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel