casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM3N90CZ C0G
codice articolo del costruttore | TSM3N90CZ C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM3N90CZ C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM3N90CZ C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 748pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM3N90CZ C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM3N90CZ C0G-FT |
IRFD220
Vishay Siliconix
IRFD310
Vishay Siliconix
IRFD320
Vishay Siliconix
IRFD420
Vishay Siliconix
IRFD9014
Vishay Siliconix
IRFD9020
Vishay Siliconix
IRFD9024
Vishay Siliconix
IRFD9110
Vishay Siliconix
IRFD9113
Vishay Siliconix
IRFD9120
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel