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codice articolo del costruttore | TSM2N60ECH C5G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM2N60ECH C5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM2N60ECH C5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 362pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 52.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 (IPAK) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM2N60ECH C5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM2N60ECH C5G-FT |
TPCA8010-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH8R80ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN4R303NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH5R906NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH7R506NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN7R506NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8028-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8045-H(T2L1,VM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8052-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation