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codice articolo del costruttore | TPN7R506NH,L1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TPN7R506NH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPN7R506NH,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPN7R506NH,L1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPN7R506NH,L1Q-FT |
TK8A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A60U(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3A60DA(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3566(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A10K3,S5Q
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3565(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3868(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK4016(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel