casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPH2R608NH,L1Q
codice articolo del costruttore | TPH2R608NH,L1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TPH2R608NH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPH2R608NH,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 37.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 142W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH2R608NH,L1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPH2R608NH,L1Q-FT |
SSM3K15ACTC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCP8004(TE85L,F)
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TK380P65Y,RQ
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XA6SLX45-3FGG484Q
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A42MX36-2BGG272I
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M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel