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Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH,L1Q

Name: TPH2R306NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R306NH,L1Q
Price: 1.0192 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (597 reviews)

Numero parte MFG: TPH2R306NH,L1Q

quantità disponibile: 34670 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.0192

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVIII-H MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPH2R306NH,L1Q.pdf

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TPH2R306NH,L1Q specificazioni

codice articolo del costruttore	TPH2R306NH,L1Q
Numero di parte futuro	FT-TPH2R306NH,L1Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVIII-H
TPH2R306NH,L1Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH2R306NH,L1Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPH2R306NH,L1Q-FT

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